なぜミミズは自殺するのか？それを鳥も食わないのはなぜ？ - OKWAVE
こんばんは． 私も質問者様と同じような経験を幾度も見ております． その原因はこれまで推測しておりましたが， なにせ自然の生物が相手のため， 容易に確認ができませんでした． 実は私の研究室の小さな庭に花壇兼用の畑を作っています． その畑に腐葉土を作る目的で， 山から広葉樹の落ち葉を多量に採集して， 畑の片隅に積んでいます． そこでミミズを使用した『ミミズ堆肥』をおこなっています． 現在ミミズの数を数える事はできませんが， 相当多量の数までに自然繁殖しているようです． その畑からちょくちょくミミズが這い出すと， 畑から飛び出るように隣接したコンクリート製階段でミイラ化していたのです． そこでご質問と同じような疑問が以前から湧いていたのです． ご質問者さまや他の回答者さまが既にお話の様子は， 昔から自然界でもこの現象を私自身も確認しています． ところが我が家の場合，畑と腐葉土が乾燥すると当然多量
ガラスは液体ですか？(1/2) - OKWAVE
こんにちは。 私はガラス材料の研究をしております。ご質問の内容は非常に奥が深い部分ですので、私も完全に理解できていないと思いますし、うまく答えられるかどうか分かりませんが、お役に立てれば幸いです。 「ガラスは液体である」と言う場合は、前に何人かの方がお答えされているように、「構造論」的なお話です。つまり、結晶は液体状態から冷却されると、融点で規則的な構造に変化しますが、ガラスはいわゆる融点での粘性が高いため、規則的な構造へと変化できず、液体のような不規則な構造のまま冷却されます。このため、室温の「硬くなった」状態でも構造的には液体と同じランダムさを持つ（非晶質、アモルファス）、ということになります。 一方、質問者の方が言われている「硬い」という状態は、ガラスの「粘弾性（力が加わると徐々に変形し、力が抜けると徐々に元の形に戻る性質）」という問題になるかと思います。 ガラスの大きな特徴は、温度
実際の素子について - OKWAVE
現実的に、コイルLには残留抵抗RLがあります。また、コンデンサCには漏れコンダクタンスGCがあります。残留抵抗や漏れコンダクタンスがなぜ発生するのでしょうか？またこれらを抑えるにはどのようにしたらよいのでしょうか？どなたか教えてください。お願いします。 いろいろ調べ、また自分自身の考えでは、残留抵抗RLが発生するのはコイルが導線で作られており、その導線の抵抗が残留抵抗となっている。そしてそれを抑えるには、コイルの長さを短くすることにより対処できる。自分は以上のように考えました。この考えの成否もあわせて教えていただければ幸いです。
高周波用抵抗器について - OKWAVE
高周波まで特性が一定の抵抗です。 高周波に対する影響としては １）抵抗体が巻いてあることによるインダクタンス。 ２）リード線のインダクタンス。 ３）抵抗体と他の導体間の浮遊容量。 ４）表皮効果。 があります。 これらの原因による特性劣化を考慮した物を一般に高周波抵抗と呼びます。 また、これらの影響が出てくる周波数は一般に短波帯以上です。数十MHｚ以上になれば何らかの影響が出はじめます。中波帯ではあまり考慮しなくても大丈夫です。
N+の+はどういう意味（半導体、トランジスタ関連です） - OKWAVE
実用的には、N+ P+ n- p- の４つを覚えておけばよいと思います。 （なぜか、＋／－と大文字／小文字が連動していますが、習慣がそんなもんだと思ってください。） N+ は、Ｎ型不純物濃度の高いＮ型 →Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン P+ は、Ｐ型不純物濃度の高いＰ型 →Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン n- は、Ｎ型不純物濃度の薄いＮ型 →Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのＮウェル p- は、Ｐ型不純物濃度の薄いＰ型 →Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのＰウェル 濃度の値は、おおむね、 N+,P+ が、面積１cm^2当たり1E15程度の原子個数以上の不純物（ヒ素／ホウ素）を0.1μｍ～１μｍ程度の薄さの中に押し込めたもの、 n-,p- が、面積１cm^2当たり1E14程度の原子個数以下の不純物（リンかヒ素／ホウ素）を１μｍ程度以上の厚さに拡散させたもの です。 濃度が高い・薄いには、物理的な意味もあるのですが、
FETの電極としてアルミが使われることがあるようなのですが、このときシ - OKWAVE
使われることがあるどころか、少し前まではSi LSIの電極や配線にはアルミを使うのが当たり前でした。 金などの重い金属はSiに対して深い準位を作るので抵抗率が上がりますが、アルミは浅い準位しか作らず、導電率が高く、金などよりも安価だからです。 もちろん、Si内に拡散すればp型となります。 だからプロセス上は、余計な部分にAlが拡散しないよう、ことのほか気を使います。 (基板ばかりでなく装置内にもアルミのイオンや微粒子を付着させない、配線の下は絶縁膜を厚くして、アルミ蒸着後は高温処理をしない、など。) 尚、AlとSiを接触させただけでは、仕事関数の差によりショットキー接合となりますが、逆にオーミック接合としたいときは、熱処理によりAlを拡散させ合金化して、ショットキー障壁を崩します。 p型層に対しては、よりp型ドーパント濃度が高くなるので好都合です。 n型層に対しては、Siの場合どうするか知
なぜSiプロセスではポリシリコンゲートを用いるのか - OKWAVE
Siプロセスに関しての質問です。 現在のSi集積回路では、ゲートにポリシリコンを利用して いるようですが、将来的にはメタルゲートが有望のようです。 そこで質問なのですが、なぜポリシリコンをゲートに用いるのでしょうか？ 半導体の教科書でＭＩＳ構造を勉強するときには、当然ゲートはメタルです。 なぜSiプロセスでは、ポリシリコンが登場しているのでしょう。 プロセスが大幅に簡単になる、コスト削減、といった理由でしょうか？ ご教授いただけると幸いです。 どうぞ宜しくお願いします。
金属シリコンって？ - OKWAVE
半導体は専門では無いですが、材料研究者です。 まず、純シリコンですが、1.1eV程度のエネルギーギャップを持つ半導体で、半金属でも金属でもありません。 デバイス利用される単結晶シリコンは、微量のホウ素をドープしてホール伝導を施したP型の、リンをドープして電子伝導を施したn型半導体が通常で、ドープ量で導電性を自由に調節しています。純シリコンの単結晶ウェーハーは需要が無くてメーカーで出荷しないようで、我々の研究材料としても簡単には手に入りません。 ドープしてあってもあくまで半導体であり、物性物理で言う金属では有りません。それは、簡単な判断基準としては伝導度の温度変化を見れば分かりやすく、金属なら低温にすればほぼ直線的に抵抗が下がりますが、半導体は逆に指数関数的に増加します。 室温で半導体が導電性を示すのは、熱励起によって価電子帯の一部の電子が伝導体に持ち上げられているためで、導電率だけで半導体
高校生に貧溶媒について説明する。 - OKWAVE
食塩は水によく溶ける。 エタノールにはほとんど溶けない。 それなら、水とエタノールを混ぜればどうなるか。 エタノールの割合が高くなるほど食塩の溶解度は低下すると予想するのが自然だろう。 それならば実際にやって見よう。 ・・・というのが実験およびその説明の流れですよね。つまり、実験の意図（あるいは発想）から説明するのがわかりやすいと思います。実際にエタノールに溶けないことを実験で示せばより効果が上がるでしょうね。 実験の意図を示さずに、いきなり結果だけを持ち出すのは教育上好ましいとは思えません。 これで不十分であれば、食塩はなぜ水によく溶けて、エタノールには溶けないかというところから説明する必要があります。高校レベルであれば、水はイオンを安定化する能力が大きいために食塩などのイオン性の物質を溶かしやすいが、エタノールはその能力が低いために食塩を溶かしにくい。水にエタノールを混ぜると、溶媒がイ
ドリフト移動度とホール移動度の違いについて教えてください。ネットで検索 - OKWAVE
移動度μはキャリアの散乱時間τに比例します。 比例係数に有効質量が入ってきます。 散乱時間τはキャリアの速度に依存するので、その平均<τ>に比例します。 記憶がうろ覚えですが、ドリフト移動度は<τ>に比例する量ですが、 ホール移動度は<τ^2>／<τ>に比例する量です。 キャリアに速度分布がなければ両者は一致しますが、そうでない場合は 両者が一致する保証はありません。 －－－－－－－－ ドリフト移動度とホール移動度が極端に異なる例は、 キャリアのトラップがある場合です。 ローレンツ力は動いているキャリアにしか作用しないので、 トラップがあっても、ホール移動度はそこそこいい値になります。 例えば、キャリアがその寿命のうちの90％がトラップされていて、 寿命の10％だけ移動度1000cm2/Vsで移動したとします。 ドリフト移動度は、100cm2/Vsという値を出しますが、 ホール移動度は10
ホール効果測定について - OKWAVE
昔々，ヘリウム温度で金属薄膜のホール効果の測定をしたことがあります． 中心になっていたのは私の後輩だったし， こういう話からは長いこと離れてしまったので，そのつもりでご覧下さい． > 磁場を印加する前後で電圧にほとんど差が生じない がちょっと気になります． 磁場がゼロでも，ホール端子で測定される電圧はゼロにならない ということですか． もし，そうなら電流方向の電圧がホール端子の電圧に混在してしまって いるのでなないですか． よく，棒状資料の図でホール効果の説明がありますが， ホール端子の位置が電流と正確に直角方向になっていなければ， 見かけのホール電圧は，真のホール電圧と抵抗の電圧降下の分との 和になりますね． もともとホール電圧は小さいですから，紛れ込んだ抵抗電圧の分が大きいと マスクされてしまってうまく観測できないことがあります． 電流の方向を反転してみると，チェックになります． 熱起
液体窒素を用いたトラップでの管の接続の向き - OKWAVE
anthraceneさんの表記をお借りして、 Aの場合は液体窒素で溶媒を凝固させてトラップさせる場合のつなぎ方です。この場合は最後の真空乾燥や減圧蒸留などでトラップにたまる溶媒量が少ないことを想定しています。Bのつなぎ方にすると細管の壁面で凝固が起こり、少ない溶媒量でも結構短時間でつまってしまいます。トラップ内は気化してくる溶媒量が少ないためほぼ-196℃であり冷却効率はAおよびBともにほとんど変わらないので、つまりにくいAのつなぎ方になります。減圧度も-196℃での蒸気圧まで下がります。 Bの場合は溶媒を液体でトラップさせる場合で、ドライアイス・アセトントラップなどをつかう、もしくは液体窒素の場合でも溶媒を凝固させる余裕が無いくらいに大量（トラップ容量の半分ぐらいまで）にとばす場合ですね。これはポンプ側に溶媒がいくことを防ぐためです。トラップ内が溶媒の凝固点以上になっている限りは細管部分
ホワイトノイズはガウス分布？ - OKWAVE
#1です。 A#1の補足の質問の回答 > これはσ→∞のとき完全なホワイトノイズになると考えて良いのでしょうか？ もちろん一致します。でもσが無限大のガウスノイズは、現実には実現不可能です。 > この標準偏差が無限のときに、 狭い周波数帯では平坦に見えるということからホワイトノイズと呼ばれるという説明で合っていますでしょうか？ 無限は思考的な理論の世界の表現で、現実には無限の周波数は作れませんし、その測定器も存在しません。もしσが無限大のガウス雑音が出来たとしたら、ホワイトノイズと区別できないでしょう（ガウスノイズはσ無限大の極限ではホワイトノイズは一致します）。 別に標準偏差が無限大でなくても、扱うスペクトルの周波数帯で平坦なスペクトル（と見えている）ならホワイトノイズとして扱って良い（見做して良い）でしょう。あくまでも擬似的なホワイトノイズであって、ホワイトノイズそのものではありません
バンドパスフィルタ - OKWAVE
バンドパスフィルタ(BPF)とは読んだ通り、特定のバンド(周波数帯域)だけをパスさせるフィルタです。 応用その1）人間の耳は20Hz～20kHzを聞き分ける事ができます。一方会話(電話)に必要なのは0.3kHz～3.4kHzで充分です。～20kHzまで広がっている雑音の中から、0.3kHz～3.4kHzの音声だけを拾う(BPFを通過させる)ことで明瞭な会話ができます。もちろんこの中にも雑音はありますが、雑音は約3.1k/20kに減る事になります。 応用その2）ラジオは約500kHz～1600KHZにひしめいています。ラジオチューナはその目的の電波だけを抽出するBPFなのです。これにより、他局と混信(雑音)の無い明瞭なラジオを聞くことができます。 類似例）競馬馬の目の両サイドには仕切り板がつけられています(名前は不明)。これは脇目を触らさずに前だけしか見えないようにしているためです。これもB
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