インテル、2010年までの技術ロードマップを発表 － ＠IT
インテルは45および32ナノメートルプロセッサの投入準備を進めている。 Intel Developer Forum（IDF）2007の開幕初日の9月18日、同社のポール・オッテリーニCEOはオープニングキーノートスピーチで、2010年までの同社の計画を示した作業ロードマップを披露した。 「本日、私がお話しする内容はすべて最先端に関するものばかりだ。最先端の製品、最先端のテクノロジ、そして最先端の利用形態だ」――オッテリーニ氏はキーノートの冒頭でこのように述べた。 「これは、業界が一致団結して新しいテクノロジの広範な普及を促進しなければならないということでもある。本日のスピーチのテーマは一言で言えば、『最先端をメインストリームに』ということだ。テクノロジをその創生から広範な普及へと促進するのがわれわれ業界の責務だ」と同氏は語った。 予想されていた通り、オッテリーニ氏はキーノートスピーチの大半
「ムーアの法則は10年後、15年後に行き詰る」--ムーア氏が指摘
UPDATE サンフランシスコ発--ムーアの法則にはまだ時間は残されているが、われわれはいずれ壁に突き当たる、とIntelの共同設立者の1人であるGordon Moore氏は語る。 Moore氏は米国時間9月18日、当地で開催されているIntel Developer Forum（IDF）の中で質疑応答に応じ、「今から10年後、15年後に、われわれは極めて根本的な問題に直面する」と語った。 問題は、過去40年間に半導体製造は大幅に効率化し、またチップの内部構造も大幅に小型化が進んだため、もはや改善の余地はほとんど残されていないという点だ。Intelが2007年中にリリース予定の45ナノメートルチップには、絶縁体に元素ハフニウムが採用されている。 Intelはこれまで、絶縁層を他の素材で作ってきた。しかし、今やそれらの絶縁層は5分子層ほどの薄さだ。「1分子層以上に薄くすることは不可能であり、5
Intel、「100％鉛フリー」プロセッサ宣言
米Intelは5月22日、45ナノメートル（nm）プロセスによるHigh-k（高誘電率）金属ゲート使用のプロセッサファミリーすべてから鉛を排除、以降のプロセッサにも一切使用しないとの計画を明らかにした。45nmプロセスのHigh-kファミリーには、次世代Intel Core 2 Duo、Core 2 Quad、Xeonプロセッサが含まれる。Intelは45nm High-k製造を今年下半期に開始する予定。 鉛はさまざまな微細電子部品のパッケージや、プロセッサをパッケージに接続する部分に使用されている。Intelは45nm High-k世代のプロセッサおよびパッケージから一切の鉛を排除し、2008年には65nmプロセスのチップセットでも鉛の使用を中止する予定。 これまで鉛は、多くの電気製品に使用されてきたが、人体と環境への悪影響が指摘されている。しかし鉛と同程度の性能と信頼性を持つ代替物質を
北京で感じた「若さ」
ロビーに溢れるのは20代の若者たち。「Intel Delevoper Forum」と書かれたバッグを持って入り口に押し寄せる。整理に立つ係員が声を張り上げる。「若者向けの何か別のイベントに来てしまったのではないか」――。会場に足を踏み入れたときこう思った。 4月16日と17日，米インテルが中国・北京で開催した開発者会議「Intel Developer Forum（IDF）」を開催した。私は開場30分前に到着。ゆっくり取材の準備をしようと考えていたが，まずはもみくちゃにされるところから始まった。 インテルは毎年，春のIDFを米サンフランシスコで開催してきたが，今年は開催地を北京に変更した。13億人市場・中国をインテルがいかに重視しているかを示している。インテルによると，IDF2日間の参加者は約6400人で，過去最大級の人数。かつ参加者は20代から30代が多く，「これまでのIDFに比べるとかな
Intel社が中国・大連に300mmウエハー対応の工場建設へ
米Intel Corp.は2007年3月26日に北京で記者会見し，「中国の大連に25億米ドルをかけて300mmウエハー対応の製造工場『Fab 68』を建設する」と発表した。
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