東芝は、阪急電鉄8000系車両に高効率の全閉型永久磁石同期電動機（以下、全閉PMSM）と新開発の4in1 VVVFインバータ装置を採用したシステムを試験搭載し、消費電力量の削減を実証した。
阪急8000系に東芝が全閉PMSMと新開発インバータを試験搭載、消費電力1/2に
東芝は、阪急電鉄8000系車両に高効率の全閉型永久磁石同期電動機（以下、全閉PMSM）と新開発の4in1 VVVFインバータ装置を採用したシステムを試験搭載し、消費電力量の削減を実証した。
世界最高耐圧のトランジスタの開発に成功 ～耐圧二万ボルトの炭化珪素(SiC)バイポーラ・トランジスタ～
須田淳 工学研究科准教授、木本恒暢 同教授、三宅裕樹氏（同博士課程修了）、奥田貴史 同修士課程学生、丹羽弘樹 同修士課程学生のグループは、SiC（炭化珪素）半導体を用いて、世界最高となる2万ボルトの電圧に耐えるスイッチング素子、バイポーラ・トランジスタを作製することに成功しました。 本研究成果は、10月に刊行された米国電気電子学会（IEEE）の論文誌Electron Device Letters（EDL）11月号に掲載されました。 概要 電力の送電、変電設備には2万ボルトを超える超高耐圧の半導体素子が必要となりますが、現在使用されているSi（珪素：シリコン）では材料の性質（物性）に起因する制約のため、6千～8千ボルト程度の耐圧が限界です。SiCはSiより絶縁破壊や熱に強いという特長を有しており、次世代の超高耐圧半導体素子材料として世界的に注目されています。 本学は、SiC半導体研究の世界
冷却能力はヒートパイプの2.3倍、パナソニックの高速ジェット流冷却システム
パナソニック エコシステムズは、一般的なヒートパイプの2.3倍の冷却性能を持つ冷却システムを開発した。冷却対象に滴下した冷媒が気化する際に発生する高速ジェット流を利用している。 パナソニック エコシステムズは、材料技術の展示会「N＋（エヌプラス）」（2012年9月19～21日、東京ビッグサイト）において、新たに開発した「JEST（Jet Explosion Stream Technology）型ループヒートパイプ冷却システム」を公開した。冷却対象に滴下した冷媒が気化する際に発生する高速ジェット流を利用して、一般的なヒートパイプの2.3倍に相当する390W／cm2という冷却性能を実現した。冷媒の循環にポンプなどの電力を使用する機器が不要なことも特徴である。SiC（シリコンカーバイド）デバイスなどの次世代パワー半導体を用いた高密度パワーエレクトロニクス機器や、スーパーコンピュータの演算処理装置
「SiC」と「GaN」、勝ち残る企業はどこか？（前編）
「SiC」と「GaN」、勝ち残る企業はどこか？（前編）：知財で学ぶエレクトロニクス（1）（1/5 ページ） 品質やコストと並んで、設計開発者が関心を持たなければならないのが、「特許」だ。製品設計の前段階から、自らの新たな視点に基づく特許出願を心掛けることが重要だが、まずは技術者が自ら特許について調べるためのヒントが必要だろう。本連載では、特定分野を毎回選び出し、その分野に関する特許の企業別、国別の状況を解説しながら、特許を活用する手法を紹介する。 電子部品や機器の設計開発者が取り組まねばならないことは、少なくありません。まずは、実現したい仕様を前にして、コストや量産性、品質の詰めをしていかなければなりません。 もう1つ忘れてはならないことが「特許」です。製品化に必要な特許が手元にそろっていない場合には、これから設計開発を始める製品を販売できない可能性さえあります。重要な特許の取得は、たとえ
ダイヤよりも硬く、羽毛よりも軽く――炭素が開く新材料
炭素は新材料の宝庫だ。フラーレンやグラフェン、カーボンナノチューブが新しいエレクトロニクスを支える素材として活躍している。だが、炭素の可能性はまだまだ尽きない。ダイヤモンドよりも硬い素材、羽毛よりも軽い素材……。2012年春以降に発見された新材料を紹介する。 炭素は「炭」素という名称のためか、地味な材料として捉えられてきた。黒鉛（グラファイト）が工業上は最も重要で、ダイヤモンドや無定形炭素も広く使われているものの、新材料という扱いは受けていなかった＊1）。 ＊1） これらの物質が研究開発の対象となっていないという意味ではない。例えば、無定形炭素は微細な黒鉛の結晶が無秩序につながったものであり、特に品質を制御したカーボンブラックは導電性付与剤として電池の性能や品質を高めるために必要不可欠な材料である。 このような状況が変わったのは1980年代以降である。1985年のフラーレン（C60）の発見
LEDを一新した「GaN」、次は電力を変える
世界各地で電力不足が課題となっている。国内はもちろん、6億人が影響を受けたインドの大停電など、新興国にも電力問題が隠れていることが明らかになってきた。 省エネルギー技術や再生可能エネルギーの導入、スマートグリッドの適用などさまざまな策はある。もちろん、半導体技術が貢献できる部分も大きい。Si（シリコン）に代わる新しいパワー半導体の導入だ。発電所で生まれた電力が最終的に消費されるまで、通常、何段階もの変換を経る。このときに無駄になる損失をパワー半導体の改善で大幅に低減できるからだ。 寿命「30億年」に「10年」が挑む パワー半導体の製品化ではSiCが先行し、GaNが続く形だ。だが、GaNが抱える課題と、SiCの課題は大きく異なる。SiCが自動車などに採用されるためには寿命やコスト、歩留まり（良品率）の課題をクリアする必要がある。→記事全文はこちらから Siに代わる新規のパワー半導体として「S
安川電機がフルSiCドライブシステムを開発、インバータ部の出力密度は128kW/l
安川電機は、SiC（シリコンカーバイド）デバイスを全面的に採用した次世代モータードライブシステムを開発した。Si（シリコン）デバイスを用いる同出力の従来品と比べて、システム全体の容積を25分の1に小型化したという。 安川電機は2012年8月7日、SiC（シリコンカーバイド）デバイスを採用した次世代モータードライブシステムを開発したと発表した。Si（シリコン）デバイスを用いる同出力の従来品と比べて、システム全体の容積を25分の1に小型化できたという。電気自動車（EV）の走行システム、ロボットの駆動装置、産業用インバータ、サーボドライブなどの用途に向けて、2014年度までの製品化を目指す。 開発したモータードライブシステムは、200Vの交流電圧を直流に変換する正弦波PWM（パルス幅変調）コンバータと、その変換された直流をモーター駆動に必要な交流に変換するPWMインバータから構成されており、いわ
日立が耐圧3.3kVのSiCダイオードを搭載した鉄道用モータ向けインバータ装置を開発、直流1500V架線に対応へ
日立製作所は、耐圧3.3kVのSiCダイオードを搭載した、鉄道用モータ向けインバータ装置を開発した（発表資料）。日本の在来線の多くが採用する、直流1500V架線に対応する。開発品の特徴は、Si製パワー素子を利用したインバータ装置と比較して電力損失が少なく、小型・軽量なこと。具体的には、電力損失を35％低減し、体積と質量をそれぞれ40％削減したとする。
「田中貴金属グループ産業事業グローバルサイト」移行のご案内
「田中貴金属グループ産業事業グローバルサイト」移行のご案内 TANAKA Precious Metals Industrial Business Site has moved. 田中貴金属グループ産業事業グローバルサイトは下記に移行しました。 旧URL(https://pro.tanaka.co.jp)でブックマーク登録をいただいている方はお手数ですが、下記URLに更新いただきますようお願い申し上げます。 (本ご案内ページは2025年6月30日をもって閉鎖いたします。) https://tanaka-preciousmetals.com/ The TANAKA Precious Metals Industrial Business Site has moved to following URL. If you have bookmarked the old URL (https://pro
NTT HOME > NTT持株会社ニュースリリース > 半導体デバイスの利用範囲を大きく広げる世界初のGaN系半導体剥離プロセスを開発
（報道発表資料） 2012年4月11日 半導体デバイスの利用範囲を大きく広げる世界初のGaN系半導体剥離プロセスを開発 ～紫外光を有効活用できる太陽電池、薄い発光ダイオード（LED）作製などへの適用に期待～ 日本電信電話株式会社（本社：東京都千代田区、代表取締役社長：三浦 惺、以下 NTT）は、現在発光ダイオード（LED）などに広く使用されている窒化ガリウム（以下GaN）系半導体薄膜素子※1を成長用サファイア基板※2から簡単に剥離するプロセスの開発に成功しました。 今回の技術を用いることにより、2μm（0.002mm）厚といった非常に薄いGaN系半導体薄膜素子を低コストで作製することが可能になります。本技術により、可視光を透過し紫外線のみを効率よく吸収する特性を持つ太陽電池の開発や200μm（0.2mm）程度の薄い発光ダイオード（LED）の作製など、GaN系半導体薄膜材料の応用範囲が大きく
半導体:ＮＴＴ研が新製造方法 極薄で低コスト化へ－ 毎日ｊｐ(毎日新聞)
基板からはがした薄膜を用いて作ったＬＥＤ（中央の光る部分）。ＬＥＤの特性を示す発光強度も従来のものと同程度＝ＮＴＴ物性科学基礎研究所提供 省エネ照明に用いられる発光ダイオード（ＬＥＤ）などに使う半導体の新しい製造方法を、ＮＴＴ物性科学基礎研究所（神奈川県）が開発し、１２日付の英科学誌ネイチャーに発表した。極薄で低コスト化の可能性を秘めており、窓や服などに張れる太陽電池の開発の道も開かれるという。 今回開発した製造方法では、青色ＬＥＤに使われる窒素とガリウムなどを素材とした半導体をごく薄い膜状にできる。層状に積み重なっているためはがれやすい窒化ホウ素を半導体と基板の間に挟むため、小さな力をかけるだけで基板から半導体の薄膜だけをはがすことができた。厚さは０．００２ミリとごく薄く、製造時間も大幅に短縮できコストも下げられるという。 従来の製法は、サファイアでできた基板の上に原料を載せて加熱、化学
いよいよSiCの時代へ、業界初の「フルSiCパワーモジュール」が量産
いよいよSiCの時代へ、業界初の「フルSiCパワーモジュール」が量産：パワー半導体 SiCデバイス ロームは、パワーモジュールを構成するパワーMOSFETとショットキーバリアダイオード（SBD）に全てSiC材料を採用した品種の量産を開始する。独自の信頼性向上技術を開発することで量産体制を確立した。 ロームは、内蔵する全てのパワー半導体素子の材料にSiC（シリコンカーバイド）を採用した「フルSiCパワーモジュール」の量産を開始すると発表した。「フルSiCパワーモジュールの量産は業界初」（同社）という。 今回量産を開始する品種の定格電圧は1200V、定格電流は100A。外形寸法は122×46×17mmである（端子を含まない）。既存のSi（シリコン）製IGBTモジュールを採用する場合に比べてスイッチング損失を85％削減した他、定格電流400AのSiのIGBTモジュールに比べて体積を50％に抑えら
世界初！"フルSiC"パワーモジュールを量産開始 スイッチング損失を85%低減し、産業機器等の電力損失を大幅に削減 | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
＜要旨＞ 半導体メーカーのローム株式会社(本社：京都市)は、内蔵するパワー半導体素子を全てSiC(シリコンカーバイド：炭化ケイ素)で構成した"フルSiC"パワーモジュール(定格1200V/100A)の量産を開始します。 産業機器や太陽電池などで電力変換を担うインバータ、コンバータに組み込むことで、一般的なSi(シリコン)製のIGBTモジュールに比べて、下記のような優位点があり、世界のエネルギーや資源など地球環境問題にも大きく貢献します。 ●スイッチング損失を85%以上低減。 ●従来の400AクラスのSi-IGBTモジュールを置き換えた場合、体積を約50%削減 ●低損失なため熱の発生が少なく、冷却装置も小さくすることができるので、機器全体の小型化が可能 本製品は、ローム本社工場（京都市）で3月下旬から量産・出荷する予定です。 ＜背景＞ 近年、産業機器や太陽電池、電気自動車、鉄道などパワーエレ
室温付近の広い温度範囲で電圧による磁力のスイッチが可能に
2012年3月20日 小野輝男 化学研究所教授、小林研介 同准教授、千葉大地 同助教、島村一利 同大学院生、河口真志 同大学院生、小野新平 電力中央研究所主任研究員、独立行政法人科学技術振興機構（JST）、日本電気株式会社（NEC）の共同研究チームは、金属磁石の磁力を室温付近の100度程度の広い温度範囲にわたって電気的にスイッチすることに成功しました。 昨年、同チームの一部は、代表的な磁性金属であるコバルトの超薄膜に、固体絶縁膜を介して電圧を加えて、コバルト表面の電子濃度を変化させることで磁石の性質をもつ強磁性状態と磁石の性質をもたない常磁性状態を室温でオン・オフできることを明らかにしました。これにより、外部から磁界を加えたり、温度を変えたりすることなく、磁石の性質を電気的にしかもほとんど電流を流すことなく制御できるため、消費電力の極めて小さな磁気記録デバイスやコイルを用いない電圧駆動式の
ニュースリリース：2012年3月15日：日立
印刷される方はこちらをご覧ください（PDF形式、304kバイト） このニュースリリース記載の情報(製品価格、製品仕様、サービスの内容、発売日、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更され、検索日と情報が異なる可能性もありますので、あらかじめご了承ください。なお、最新のお問い合わせ先は、お問い合わせ一覧をご覧下さい。 2012年3月15日 SiCを用いた鉄道車両インバータ用 3.3kV小型ハイブリッドモジュールを開発 従来のSiを使用したモジュールと比べ約3分の2のサイズを実現 株式会社日立製作所(執行役社長 : 中西 宏明／以下、日立)は、このたび、Si(Silicon : シリコン)にかわる次世代パワーデバイス用材料として注目されるSiC(Silicon Carbide : 炭化ケイ素)を用いて、3.3kV(キロボルト)という高い耐圧を有する、鉄道車両インバータ
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電力不足に光明、次世代半導体SiCの秘める力 原発8基分の効果も - 日本経済新聞
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シャープがIGZO TFT駆動の液晶パネルを量産開始、32型の4K対応品も初披露
東京大学工学部 カラムナー液晶においてカラム軸に平行な自発分極を持つ強誘電性を確認 －超高密度メモリー素子への挑戦－：化学生命工学専攻 相田卓三教授
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