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半導体の歴史は1950年頃の点接触型トランジスタから始まります。当初はゲルマニウムが用いられていましたが、その後特性が優れているシリコンが半導体製品の主材料となり、現在まで用いられてきました。 半導体製造装置の高精度化や、デバイス構造およびプロセスの最適化など、さまざまな技術の向上によりシリコン半導体製品は進化を続け、身の周りの電気機器の小型化や高性能化に大きく貢献してきました。 これに対し、特にパワー半導体の分野では、シリコンの物性値を大きく上回る化合物半導体を用いた素子開発、実用化が進んでいます。 そこで現在注目されているのが、SiC（呼び方：エスアイシー／シリコンカーバイド／炭化ケイ素）やGaN（呼び方：ガン／ガリウムナイトライド／窒化ガリウム）といった材料です。 シリコンは単体の物質であるのに対し、SiCは炭素とケイ素の化合物、GaNはガリウムと窒素の化合物であるため、これらを使っ