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ウエハ表面は親水性でフォトレジストとの密着性が悪いため、脱水ベーク(デハイドレーションベーク)及びHMDS(密着性向上塗布剤) 処理を行い、ウエハ表面を疎水性にしてレジストとの密着をよくします。密着性向上処理の後、ウエハを常温に戻してからレジスト塗布 が行われます。特に、ポジ型フォトレジストはウエハとの密着が悪いため、密着性向上処理が行われます。 HMDS処理 HMDS(ヘキサメチルジンラザン)は無色透明な液体で、ウエハとレジストの密着性を良くするために使用される。 HMDSは水分と反応し、アンモニアが発生する。 ウエハとレジストの密着性を向上させるため、HMDSでウエハ表面を親水性から疎水性に変える。 ウエハはHMDS処理で疎水性になっています。一般的にシンナーを塗布・乾燥させてから塗布が行われます。レジストの厚さは 数10nm〜数1000nmで、塗布に使用される約90%
半導体のMOSとバイポーラの構造、ウエハ工程の各プロセスをイラストで説明する。
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